三靶磁控濺射性能介紹
　　三靶磁控濺射是一種用于材料科學領(lǐng)域的工藝試驗儀器，于2019年1月1日啟用。
技術(shù)指標
　　樣品能加熱到600℃，控制精度不大于±1℃；射頻電源頻率13.56MHZ，功率0-600W可調(diào)，功率不穩(wěn)定度≤2W，自動匹配調(diào)節(jié)，配備自動匹配器，匹配時間精度不大于5秒。高性能真空系統(tǒng)，極限真空6×10-5Pa；沉積200nm的薄膜。在3英寸平面基底上十字交叉取9個點進行測試。薄膜厚度不均勻性≤±5%，邊緣去除5mm。
主要功能
　　三靶磁控濺射可使用單/雙/三靶對同一基片進行磁控濺射鍍膜實驗，配備加熱系統(tǒng)可以將抽真空速度加快，本底真空降低；可使用雙/三靶濺射制備摻雜薄膜，較非摻雜薄膜性質(zhì)變多，性能不同，更利于發(fā)現(xiàn)新功能、高性能薄膜。設(shè)備自動化程度較高，開/關(guān)機配備一鍵啟動/關(guān)閉功能，方便操作。

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